এএমআর সেন্সর ম্যাগনেট

এএমআর সেন্সরের কিছু ভূমিকা

এএমআর সেন্সর দুর্বল চৌম্বকীয় ক্ষেত্রের পরিমাপকে ভালভাবে উপলব্ধি করতে পারে যা ভূ-চৌম্বকীয় ক্ষেত্রের পরিসরে, এবং তারপরে অনেক ক্ষেত্রে ব্যাপকভাবে প্রয়োগ করা হয়েছে, এতে রয়েছে নেভিগেশন কম্পাস, ঘূর্ণন অবস্থান সেন্সিং, ইয়াও রেট সেন্সিং এবং ভার্চুয়াল বাস্তবতার ট্র্যাজেক্টরি ট্র্যাকার। রৈখিক এন্ডরোটেশন অবস্থান পরিমাপের সময় AMR সেন্সরকে উপযুক্ত AMR সেন্সর চুম্বক সজ্জিত করতে হবে।

Anisotropic Magnetoresisance (AMR) প্রভাব কি?

অ্যানিসোট্রপিক ম্যাগনেটোরেসিস্ট্যান্স (AMR) ইফেক্ট হল ফেরোম্যাগনেটিক উপাদানের বৈদ্যুতিক প্রতিরোধ ক্ষমতা (যেমন NiFe এবং NiCo alloys) বর্তমান দিক এবং ফেরোম্যাগনেটিক উপাদানে প্রয়োগ করা বহিরাগত চৌম্বক ক্ষেত্রের মধ্যে অন্তর্ভুক্ত কোণের সাথে পরিবর্তিত হয়। 1857 সালে উইলিয়াম টম্পসন, 1ম ব্যারন কেলভেনিন দ্বারা ফেরোম্যাগনেটিক পলিক্রিস্টালে এএমআর ইফেক্ট আবিষ্কৃত হয়। এর পরে, 1971 সালে ম্যাগনেটিক ডিস্ক হেড ভিত্তিক এএমআর ইফেক্ট প্রস্তুত না হওয়া পর্যন্ত এএমআর ইফেক্ট আরও বেশি মনোযোগ অর্জন করে।

এএমআর সেন্সরের মূল উপাদান হল অ্যানিসোট্রপিক চৌম্বকীয় সংবেদনশীল উপাদান এবং পারম্যালয় বর্তমানে সবচেয়ে সাধারণ বিকল্প। সিলিকন চিপের উপরিভাগে জমা হওয়ার পর পারম্যালয়ের থিন সলিড ফিল্ম রেজিস্টর স্ট্রিপ তৈরি করবে, অতএব, এর দানা আকার এবং আকারবিদ্যা সেন্সরের কর্মক্ষমতার উপর উল্লেখযোগ্য প্রভাব ফেলে।

এএমআর সেন্সর ম্যাগনেট সম্পর্কে

ফেরাইট এবং বিরল আর্থ চুম্বক উভয়ই এএমআর সেন্সর চুম্বক হিসাবে ব্যবহার করা যেতে পারে। এইভাবে এএমআর সেন্সরকে সেরা পারফরম্যান্স প্রদর্শনের জন্য উপযুক্ত চুম্বক সজ্জিত করা উচিত। এটা উল্লেখ করা উচিত যে অপেক্ষাকৃত উচ্চ চৌম্বক ক্ষেত্র পরিবাহী যা সেন্সরের নির্ভুলতা থেকে বিপথগামী চৌম্বক ক্ষেত্রের প্রভাবকে কমিয়ে দেয়। এএমআর সেন্সর এবং চুম্বকগুলির মধ্যে জ্যামিতি কেন্দ্রের প্রান্তিককরণ ডিগ্রিও অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ যা পুরো সিস্টেমের ত্রুটির কারণ হবে। ইতিমধ্যে, চুম্বকের পৃষ্ঠের কাছাকাছি চৌম্বক ক্ষেত্রের শক্তি যথেষ্ট সমজাতীয় নয়, এর ফলে, বায়ুর ব্যবধান অনেকগুলি কারণ দ্বারা নির্ধারিত হয়। হংইউ অনেক চুম্বক প্রতিরোধক সেন্সর চুম্বক সংগ্রহ করেছে এবং আশা করি আপনার জন্য একটি নির্ভরযোগ্য এবং অর্থনৈতিক সমাধান প্রদান করবে।